Электронная аппаратура. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Силовые модули. 2-е изд.

Обозначения физических величин Условные сокращения Предисловие 1. IGBT. Общие вопросы и технологии структур 1.1. Общие вопросы 1.2. Сравнение IGBT с другими транзисторными структурами 1.3. Технологии IGBT 1.4. Тенденции развития и примеры других IGBT-структур Контрольные вопросы Список литературы 2. Надежность и диагностирование параметров IGBT-модулей 2.1. Надежность силовых модулей 2.2. Диагностирование и измерение ряда параметров IGBT-модулей Контрольные вопросы Список литературы 3. Основные конструктивы IGBT-модулей 3.1. Конструктивные особенности, общие технологии и материалы, применяемые в производстве модулей 3.2. Конструктивы IGBT-модулей 3.2.1. IGBT-модули отечественных фирм 3.2.2. IGBT-модули компании Semikron 3.2.3. IGBT-модули фирмы Infineon 3.2.4. IGBT-модули фирмы Mitsubishi Electric и Fuji Electric 3.2.5. IGBT-модули других фирм и компаний 3.3. Системы охлаждения модулей 3.3.1. Пассивное охлаждение 3.3.2. Активное охлаждение модулей Контрольные вопросы Список литературы 4. Управление и режимы работы IGBT-модулей 4.1. Драйверы и контроллеры управления 4.1.1. Драйверы и их назначение 4.1.2. Затворный резистор 4.1.3. Динамические режимы работы драйверов 4.1.4. Примеры реализации драйверов 4.2. Электрические режимы IGBT 4.2.1. Электрические режимы и параметры 4.2.2. Защитные цепи 4.2.3. Примеры схем и применений модулей Контрольные вопросы Список литературы Приложение 1. Характеристики ТПМ в виде паст Приложение 2. Основные характеристики высоконадежных резисторов компании Vishay Приложение 3. Основные характеристики высоконадежных резисторов компании Vishay Приложение 4. Основные характеристики высоконадежных конденсаторов компании Vishay Приложение 5. Примеры основных характеристик катушек индуктивности компании Vishay Приложение 6. Паразитные элементы IGBT-структуры